【CNMO科技消息】6月18日，据外媒报道，智能手机运行大模型时正面临内存带宽瓶颈，而这一难题难以通过软件更新解决。一种名为LLW（低延迟宽DRAM）的新内存格式正在开发中，旨在解决当前LPDDR内存对AI模型本地运行的制约。
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外媒指出，当前LPDDR内存在向处理器快速传输数据方面存在限制，这也是AI数据中心普遍采用HBM（高带宽内存）的原因之一。HBM通过将多层内存贴近处理器并经由极宽接口连接，实现了比LPDDR快10至15倍的带宽，但其复杂的封装和散热方案并不适用于智能手机。LLW内存借鉴HBM设计，在提供更高带宽和更低延迟的同时，避免了堆叠内存带来的空间与散热问题，有望成为智能手机的HBM解决方案。
不过，外媒强调对于上述技术相关爆料仍需理性看待，目前所有相关信息均来自行业数码博主相关爆料，并非官方发布。据CNMO科技了解，相关博主透露，LLW内存可将设备功耗降低约50%，同时综合性能提升1.5倍左右。
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至于商用普及进度，同一份爆料指出LLW距离大规模量产落地还有数年时间。具体来看，该内存技术要到2027年下半年才会迎来大范围装机。传闻小米、华为有望成为首批搭载该技术的厂商，但两家企业均未公开提及这项新技术。
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